PTO-350 と PTO-500 の精度の違いは、静的な精度仕様だけではなく、主に高周波範囲内の信号再生能力と干渉に対する安定性に現れます。-どちらのプローブも基本精度の点で優れた性能を示します。ただし、上位モデルは最適化された設計により優れた動的精度を実現します。
1. 静的精度（代表値）
標準条件下では、両方のプローブの標準ゲイン精度は ±1% + 5mV で、保証最大誤差は ±1.5% + 5mV です。
これは、低周波数または定常状態の信号の測定中、両方のモデルの絶対誤差レベルが本質的に同一であることを意味します。{0}{1}
2. 動的精度 (高周波信号の再生)
PTO-350: 帯域幅が 350 MHz、立ち上がり時間が 1 ns のこのモデルは、高速スイッチング波形を測定する場合、わずかな立ち上がりエッジの広がりやオーバーシュートを示す可能性があります。-
PTO-500: 帯域幅は 500 MHz に増加し、立ち上がり時間は 0.7 ns に短縮されます。これにより、ナノ秒-スケールのパルスの立ち上がりエッジと発振の詳細をより忠実に再現できるようになり、高周波シナリオでの動的誤差が低減されます。
3. 精度に対する抗干渉機能の影響-
どちらのモデルも高いコモンモード除去比 (CMRR) を備えています。ただし、{0}}強い干渉のある高周波環境では、PTO-500 は優れたフロントエンド減衰とシールド設計の恩恵を受けます。-この設計は、高い dv/dt レートによって誘導されるコモンモード電流を効果的に抑制し、信号歪みのリスクを軽減します。
実際のテストでは、GaN デバイスのスイッチング ノードを測定する際に、PTO-500 は波形ジッターとノイズ干渉を平均で約 30% 削減することを実証し、それによって測定の再現性と信頼性の両方が向上しました。
4. 使用上の推奨事項
標準 IGBT 駆動信号の分析やインバータ システムのデバッグなどの中-～-高周波アプリケーション-の場合、PTO-350 が提供する精度は要件を満たすのに十分です。
GaN/SiC デバイスの動的特性の分析や電源ループの安定性のテストなど、高{0}}忠実度の測定-が必要なシナリオでは、PTO-500 はより広い帯域幅と優れた干渉耐性により、より信頼性の高い測定結果を提供します。{2}
