将来的には、光学的に分離された測定テクノロジーは、より高い帯域幅、より高度な統合、インテリジェントな処理、および小型化に向けて進化するでしょう。シリコン フォトニクス チップ、AI-駆動の信号認識、エッジ コンピューティングなどのテクノロジーの融合を通じて、テラヘルツ-レベルの信号取得、自動校正、リモート診断機能を実現することを目指しています。これにより、炭化ケイ素 (SiC) や窒化ガリウム (GaN) などのワイド-バンドギャップ デバイス-や新しいエネルギー システム-の高精度テスト要件を満たします。
I. パフォーマンスのブレークスルー: より高い帯域幅とより優れた分離に向けて進化
テラヘルツ-レベルの帯域幅の探査
現在、ハイエンドの光絶縁プローブは 1 GHz を超える帯域幅を達成しています。{0}将来的には、6G 通信と超高速デジタル回路のテスト需要を満たすために、テラヘルツ (THz) レベルに向けて進歩するでしょう。--
特に GaN デバイスのテストの場合、最適な帯域幅要件は 500 MHz 以上です。 SiC テストの場合、350 MHz 以上です。より高い帯域幅は、より正確な波形再構成機能に直接つながります。
超-高絶縁電圧機能
光絶縁プローブは、60 kV を超える絶縁電圧を達成できます。この機能は、高電圧直流 (HVDC) 送電システムや大規模エネルギー貯蔵システムなどの超高電圧環境に対応できるよう、将来さらに強化される予定です。{{2}
重要なことは、絶縁機能は{0}プローブではなく-テスト環境自体の絶縁性能に依存するため、本質的な安全上の利点が得られることです。
II.技術の融合: シリコン フォトニクスと AI- 主導のインテリジェンス
シリコンフォトニクスチップの統合
シリコン フォトニクス チップと小型光学部品の導入により、デバイスのサイズが縮小され、高周波信号取得の安定性が向上し、プローブのさらなる小型化とモジュール化が促進されます。{0}
AI とエッジ コンピューティングによるエンパワーメント
次世代のプローブには AI 信号処理モジュールが統合され、異常な波形の自動認識、ノイズ フィルタリング、自動校正、リモート診断が可能になり、それによってテストの効率と全体的なインテリジェンス レベルが向上します。
エッジ コンピューティング機能はリアルタイムのローカル分析をサポートし、バックエンド処理装置への依存を軽減します。{0}
Ⅲ．電源と構造の最適化: ユーザーエクスペリエンスの向上
レーザー電源の普及拡大
プローブのフロントエンドはバックエンドにあるレーザー光源から電力を供給され、「シームレスな電力供給」が可能になります。{0}これにより、バッテリの充電やメンテナンスの必要がなくなり、運用継続性が向上します。
初期コストは高くなる可能性がありますが、このアプローチにより、長期的な運用とメンテナンスの点で非常に利便性が高まります。{0}}マルチ-チャンネル同期測定
光学的に分離された複数のプローブからのデータの同時取得をサポートし、パワー インバータのハイサイドとローサイドのゲート駆動信号など、複雑なシステム内のさまざまな信号間のタイミング関係の分析を容易にします。{{0}{1}{1}{2}{2}}
IV.市場の成長と用途の拡大
予測によると、高電圧光学的に絶縁されたプローブの世界市場は 2024 年に約 2,850 万ドルに達すると予測されています。この数字は 2031 年までに 5,590 万ドルに成長すると予想されており、これは 9.0% の年平均成長率 (CAGR) に相当します。
この成長は、半導体製造能力の拡大や新エネルギー車の市場普及拡大などの主要な業界トレンドによって推進されています。
